[发明专利]外浇铸半导体材料制品的方法有效

专利信息
申请号: 201080054695.1 申请日: 2010-12-03
公开(公告)号: CN102639759A 公开(公告)日: 2012-08-15
发明(设计)人: P·马宗达;B·苏曼 申请(专利权)人: 康宁股份有限公司
主分类号: C30B15/00 分类号: C30B15/00;C30B19/06;C30B29/06;C30B11/00
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 沙永生
地址: 美国*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 一种制备半导体材料制品的方法,它包括:选择该制品的目标厚度,然后将模具浸入熔融半导体材料,浸没时间能够有效地在模具外表面上形成半导体材料的固体层,其中固体层的厚度基本上等于目标厚度。将浸没时间选为基本上等于转变时间,这可从具有特定属性的模具的固体层厚度-浸没时间曲线确定,所述特定属性包括模具组成、模具厚度和模具初温。转变时间与特定模具的固体层厚度-浸没时间曲线中的最大固体层厚度相对应,因此浸没时间也与之相对应。
搜索关键词: 浇铸 半导体材料 制品 方法
【主权项】:
一种制备半导体材料固体层的方法,所述方法包括:确定固体层的目标厚度;选择具有至少一个模具属性的模具,使得在将模具浸入熔融半导体材料得到的固体层厚度‑浸没时间曲线中,出现在转变时间处的固体层厚度最大值基本上等于目标厚度;以及将模具浸入熔融半导体材料,再从熔融半导体材料中取出,在模具外表面上形成半导体材料的固体层,其中模具的浸没时间基本上等于转变时间。
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