[发明专利]在掺杂区上方清洁和形成带负电荷的钝化层的方法无效
申请号: | 201080054806.9 | 申请日: | 2010-12-07 |
公开(公告)号: | CN102640301A | 公开(公告)日: | 2012-08-15 |
发明(设计)人: | 迈克尔·P·斯图尔特;周立中;珍·Y·舒;徐力 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042;H01L31/18 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;钟强 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明大体上提供形成高效率太阳能电池组件的方法,所述方法是通过制备表面和/或在含硅基板上形成至少一部分的高质量钝化层来完成的。本发明实施例尤其有益于制备形成在硅基板上的p-型掺杂区的表面,从而可在所述表面上形成高质量钝化层。在一个实施例中,所述方法包括将太阳能电池基板的表面暴露于等离子体以清洁和改变所述表面的物理、化学和/或电气特性。 | ||
搜索关键词: | 掺杂 上方 清洁 形成 负电荷 钝化 方法 | ||
【主权项】:
一种钝化太阳能电池基板的表面的方法,所述方法包括:将形成于基板上的p‑型掺杂区的表面暴露于第一RF等离子体,所述第一RF等离子体包括第一处理气体与第一含氟气体;将所述p‑型掺杂区的表面暴露于第二RF等离子体,所述第二RF等离子体包括卤素气体;以及在将所述表面暴露于所述第二RF等离子体的至少一部分期间,RF偏压所述基板以在所述表面上形成带负电荷层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料公司,未经应用材料公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201080054806.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的