[发明专利]具有纹理化沟道和栅极的平面型MOSFET无效
| 申请号： | 201080054829.X | 申请日： | 2010-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN102648523A | 公开（公告）日： | 2012-08-22 |
| 发明（设计）人： | M·D·科兰姆 | 申请（专利权）人： | 拉姆伯斯公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 吴立明;董典红 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种包括半导体衬底的半导体器件，其中所述半导体衬底具有沟道区以及形成于所述沟道区的相对侧上的相应的源极区和漏极区。所述沟道区包括至少一个孔隙。在所述源极区和漏极区之间的半导体衬底上形成栅极，并且所述栅极包括由所述至少一个孔隙中的相应孔隙接收的至少一个引脚。将介电层安置在所述栅极和所述半导体衬底之间。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 纹理 沟道 栅极 平面 mosfet | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包含：半导体衬底，其具有沟道区和形成于所述沟道区的相对侧上的相应的源极区和漏极区，所述沟道区包括至少一个孔隙；形成于所述源极区和漏极区之间的半导体衬底上的栅极，所述栅极包括在所述至少一个孔隙中的相应孔隙中接收的至少一个引脚；以及介于所述栅极和所述半导体衬底之间的介电层。
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