[发明专利]半导体存储装置有效
| 申请号： | 201080055292.9 | 申请日： | 2010-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN102640281A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | 寺田裕;仓田胜一 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/8246 | 分类号： | H01L21/8246;G11C16/04;H01L27/112 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体存储装置。在各存储单元由一个晶体管构成的半导体存储装置中，上述存储单元由相邻的2比特形成一个扩散图案(4)，相邻的两个晶体管共用源极区域，两个漏极区域被隔离。并且，在配置有各个扩散图案(4)中的至少一列的多个阵列(120、130)中，每个阵列分别具有独立的位线。而且，在阵列分割边界部，每个阵列的位线的各个端部分别位于在一个扩散图案(4)上隔着共用的源极区域彼此隔离的两个漏极区域上。这样一来，能够确保充分的位线分离宽度，并实现面积缩减。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体存储装置，该半导体存储装置的各存储单元由一个晶体管构成，所述存储单元由相邻的2比特形成一个扩散图案，相邻的两个晶体管共用源极区域，两个漏极区域被隔离；所述存储单元包括第一阵列和第二阵列，所述第一阵列和所述第二阵列配置有各个所述扩散图案中的至少一列；其特征在于：所述第一阵列和所述第二阵列的每个阵列都具有独立的位线；在阵列分割边界部，每个所述阵列的各条位线的一端部在一个扩散图案上分别位于隔着共用的源极区域彼此隔离的两个漏极区域上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
