[发明专利]在高剂量植入剥除前保护硅的增强式钝化工艺

摘要

本发明提供用于从工件表面剥除光致抗蚀剂并移除离子植入相关残留物的改进的方法及设备。根据各种实施例，使所述工件暴露于钝化等离子体，允许冷却一时间周期，并接着使其暴露于基于氧气或基于氢气的等离子体以移除所述光致抗蚀剂及离子植入相关残留物。本发明的方面包含减小硅损失，从而留下极少或不留下残留物，同时维持可接受的剥除速率。在某些实施例中，方法及设备在高剂量离子植入工艺之后移除光致抗蚀剂材料。

主权项

一种在反应腔室中从工件表面移除材料的方法，所述方法包括：使所述工件暴露于从成形气体产生的等离子体；在使所述工件暴露于所述成形气体等离子体之后，允许晶片安置于非等离子体环境中持续至少30秒的时间周期；及在允许所述晶片安置之后，使所述晶片暴露于基于氧气或基于氢气的等离子体以移除所述材料。