[发明专利]用于制造应用于XUV波长范围的具有横向图案的多层结构的方法以及根据该方法制造的BF结构和LMAG结构无效
| 申请号： | 201080056081.7 | 申请日： | 2010-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN102792222A | 公开（公告）日： | 2012-11-21 |
| 发明（设计）人： | 弗雷德里克·比耶柯克;威尔弗雷德·热拉尔·范德维尔;罗伯特·范德梅尔;彼得罗内拉·埃梅伦迪亚纳·赫格曼 | 申请（专利权）人： | 帕纳科有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;G21K1/06;G02B5/18;G03F1/24 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 姜燕;郑特强 |
| 地址： | 荷兰阿*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 用于制造具有横向图案的多层结构的方法以及根据该方法制造的BF结构和LMAG结构，尤其是应用于电磁辐射波长处于0.1nm到100nm之间波长范围内的光学器件的光栅的制造方法，该方法包括以下步骤：（i）设置多层结构，以及（ii）在该多层结构中布置横向三维图案，其中通过纳米压印光刻（NIL）方法来执行布置横向图案的步骤（ii）。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 应用于 xuv 波长 范围 具有 横向 图案 多层 结构 方法 以及 根据 bf | ||
【主权项】：
用于制造具有横向图案的多层结构的方法，尤其是应用于电磁辐射波长处于0.1nm到100nm之间波长范围的光学器件的光栅的制造方法，所述方法包括以下步骤：（i）设置多层结构，以及（ii）在所述多层结构中布置横向三维图案，其特征在于，通过纳米压印光刻（NIL）方法来执行布置所述横向图案的步骤（ii）。
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