[发明专利]磁性材料溅射靶有效
申请号: | 201080056188.1 | 申请日: | 2010-10-21 |
公开(公告)号: | CN102652184A | 公开(公告)日: | 2012-08-29 |
发明(设计)人: | 荒川笃俊 | 申请(专利权)人: | 吉坤日矿日石金属株式会社 |
主分类号: | C23C14/34 | 分类号: | C23C14/34;C22C19/03;C22C19/07;C22C38/00;G11B5/851 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 王海川;穆德骏 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种磁性材料溅射靶,通过熔炼、铸造法得到且含有B,其特征在于,B的含量为10原子%以上且50原子%以下,其余包含选自Co、Fe和Ni的一种以上元素。通过本发明的方法,得到气体成分杂质少,没有龟裂和破裂,主要成分元素的偏析少的溅射靶,结果,具有如下显著的效果:在用具备DC电源的磁控溅射装置进行溅射时,可以抑制粉粒的产生,提高薄膜制作时的成品率。 | ||
搜索关键词: | 磁性材料 溅射 | ||
【主权项】:
一种磁性材料溅射靶,通过熔炼、铸造法得到且含有B,其特征在于,B的含量为10原子%以上且50原子%以下,其余包含选自Co、Fe和Ni的一种以上元素,靶中的氧含量为100重量ppm以下,没有龟裂和破裂。
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