[发明专利]反侧设计的III-氮化物器件有效
| 申请号： | 201080056241.8 | 申请日： | 2010-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN102714219A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 储荣明;乌梅什·米什拉;拉柯许·K·拉尔 | 申请（专利权）人： | 特兰斯夫公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李兰;孙志湧 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 描述了一种III族氮化物器件，其包括III-氮化物层的堆叠、钝化层和导电接触。该堆叠包括具有2DEG沟道的沟道层、势垒层以及间隔层。一个钝化层在与沟道层相反的一侧上直接接触间隔层的表面并且是电绝缘体。III-氮化物层的堆叠和第一钝化层形成具有邻近第一钝化层的反侧和邻近势垒层的正侧的结构。另一钝化层位于该结构的正侧上。可以部分或整体地移除在形成工艺期间形成缓冲层的有缺陷的成核和应力管理层。 | ||
| 搜索关键词： | 反侧 设计 iii 氮化物 器件 | ||
【主权项】：
一种III族氮化物器件，包括：III‑氮化物层的堆叠，其中所述堆叠包括沟道层、与所述沟道层直接相邻的势垒层以及与所述沟道层的和所述势垒层相反的一侧直接相邻的间隔层，其中所述沟道层包括在所述沟道层中的与所述势垒层相邻的2DEG沟道；第一钝化层，所述第一钝化层在与所述沟道层相反的一侧上直接接触所述间隔层的表面，其中所述第一钝化层是电绝缘体并且所述III‑氮化物层的堆叠和所述第一钝化层形成具有邻近所述第一钝化层的反侧和邻近所述势垒层的正侧的结构；第二钝化层，所述第二钝化层在所述结构的所述正侧上；和一个或多个导电接触，所述一个或多个导电接触电连接到所述2DEG沟道。
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