[发明专利]带反射层的EUV光刻用衬底、EUV光刻用反射型掩模坯料、EUV光刻用反射型掩模、和该带反射层的衬底的制造方法有效
申请号: | 201080056266.8 | 申请日: | 2010-12-09 |
公开(公告)号: | CN102687071A | 公开(公告)日: | 2012-09-19 |
发明(设计)人: | 三上正树;驹木根光彦;生田顺亮 | 申请(专利权)人: | 旭硝子株式会社 |
主分类号: | G03F1/24 | 分类号: | G03F1/24;G03F1/54;G03F7/20;G02B5/08 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供抑制了由自钌(Ru)保护层的氧化导致的反射率降低的EUV掩模坯料、和该EUV掩模坯料的制造中使用的带反射层的衬底、以及该带反射层的衬底的制造方法。一种带反射层的EUV光刻用衬底,其特征在于,其在衬底上依次形成有用于反射EUV光的反射层和用于保护该反射层的保护层,前述反射层为Mo/Si多层反射膜,前述保护层为Ru层或Ru化合物层,在前述反射层与前述保护层之间形成有含有0.5~25at%的氮且含有75~99.5at%的Si的中间层。 | ||
搜索关键词: | 反射层 euv 光刻 衬底 反射 型掩模 坯料 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种带反射层的EUV光刻用衬底,其特征在于,其在衬底上依次形成有用于反射EUV光的反射层和用于保护该反射层的保护层,所述反射层为Mo/Si多层反射膜,所述保护层为Ru层或Ru化合物层,在所述反射层与所述保护层之间形成有含有0.5~25at%的氮且含有75~99.5at%的Si的中间层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于旭硝子株式会社,未经旭硝子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201080056266.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种自抛光防污树脂及其制备方法
- 下一篇:一种直流电动机磁瓦粘结夹具
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备