[发明专利]带反射层的EUV光刻用衬底、EUV光刻用反射型掩模坯料、EUV光刻用反射型掩模、和该带反射层的衬底的制造方法有效

专利信息
申请号: 201080056266.8 申请日: 2010-12-09
公开(公告)号: CN102687071A 公开(公告)日: 2012-09-19
发明(设计)人: 三上正树;驹木根光彦;生田顺亮 申请(专利权)人: 旭硝子株式会社
主分类号: G03F1/24 分类号: G03F1/24;G03F1/54;G03F7/20;G02B5/08
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇;李茂家
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供抑制了由自钌(Ru)保护层的氧化导致的反射率降低的EUV掩模坯料、和该EUV掩模坯料的制造中使用的带反射层的衬底、以及该带反射层的衬底的制造方法。一种带反射层的EUV光刻用衬底,其特征在于,其在衬底上依次形成有用于反射EUV光的反射层和用于保护该反射层的保护层,前述反射层为Mo/Si多层反射膜,前述保护层为Ru层或Ru化合物层,在前述反射层与前述保护层之间形成有含有0.5~25at%的氮且含有75~99.5at%的Si的中间层。
搜索关键词: 反射层 euv 光刻 衬底 反射 型掩模 坯料 制造 方法
【主权项】:
一种带反射层的EUV光刻用衬底,其特征在于,其在衬底上依次形成有用于反射EUV光的反射层和用于保护该反射层的保护层,所述反射层为Mo/Si多层反射膜,所述保护层为Ru层或Ru化合物层,在所述反射层与所述保护层之间形成有含有0.5~25at%的氮且含有75~99.5at%的Si的中间层。
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