[发明专利]固化无碳可流动CVD膜无效
| 申请号： | 201080056416.5 | 申请日： | 2010-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN102741989A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 梁璟梅;洪锡湲 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 江磊 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明描述了一种用来形成氧化硅层的方法。所述方法可以包括以下步骤：将无碳的含硅前体与自由基-氮-和/或-氢前体混合，并在基材上沉积含硅-氮-和-氢的层。然后通过在含臭氧的气氛中进行低温退火(“固化”)来引发所述含硅-氮-和-氢的层向含硅和氧的层转化。所述在含臭氧气氛中进行的硅和氮膜向氧化硅的转化可能是不完全的，在含氧气的气氛中补充进行较高温度的退火。 | ||
| 搜索关键词： | 固化 无碳可 流动 cvd | ||
【主权项】：
一种在基材加工室内的无等离子体基材加工区域中的基材上形成含硅‑氧的层的方法，所述方法包括：在所述基材上沉积无碳含硅‑氮‑和‑氢的层；以及在含臭氧的气氛中，在固化温度条件下对所述含硅‑氮‑和‑氢‑的层进行固化，使得所述含硅‑氮‑和‑氢的层转化为氧化硅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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