[发明专利]光电转换装置和其制造方法无效
申请号: | 201080056836.3 | 申请日: | 2010-12-13 |
公开(公告)号: | CN102668111A | 公开(公告)日: | 2012-09-12 |
发明(设计)人: | 村田和哉;松本光弘 | 申请(专利权)人: | 三洋电机株式会社 |
主分类号: | H01L31/04 | 分类号: | H01L31/04 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 使光电转换装置中的光电转换效率提高。一种光电转换装置,包括光电转换单元,该光电转换单元层叠有含p型掺杂剂的p型层(40)、作为成为发电层的微晶硅层的i型层(42)和包含n型掺杂剂的n型层(44),其中,p型层(40)具有第一p型层(40a)和第二p型层(40b)的层叠结构,上述第一p型层(40a)是微晶硅层,上述第二p型层(40b)配置在微晶硅p型层(40a)与i型层(42)之间,并且包括非晶硅p型层和非晶碳化硅p型层中的至少一个。第二p型层(40b)在i型层(42)一侧具备氧化层。 | ||
搜索关键词: | 光电 转换 装置 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种光电转换装置,其特征在于:包括光电转换单元,该光电转换单元层叠有包含p型掺杂剂的p型层、作为成为发电层的微晶硅层的i型层和包含n型掺杂剂的n型层,所述p型层具有第一p型层和第二p型层的层叠结构,所述第一p型层是微晶硅层,所述第二p型层配置在所述微晶硅p型层与所述i型层之间,并且包括非晶硅p型层和非晶碳化硅p型层中的至少一个。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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