[发明专利]核聚变靶材、核聚变装置以及核聚变方法有效
| 申请号： | 201080057004.3 | 申请日： | 2010-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN102714062A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 关根尊史;川嶋利幸;菅博文;北川米喜;森芳孝;东博纯;日置辰视;元广友美;宫本康司;中村直树 | 申请（专利权）人： | 浜松光子学株式会社;丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | G21B1/15 | 分类号： | G21B1/15;G21B1/03 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 杨琦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于，能够以比较高的效率引发核聚变反应并且能够使装置小型化。本发明的核聚变装置（1）具备：包含含有氘或者氚的靶基板（7a）及层叠于靶基板（7a）上且含有氘或者氚的薄膜层（7b）的核聚变靶材（7）、容纳核聚变靶材（7）的真空容器（5）、朝着核聚变靶材（7）的薄膜层（7b）照射连续的2个第1及第2脉冲激光（P1,P2）的激光装置（3），第1脉冲激光（P1）的强度小于第2脉冲激光（P2）的强度，并且，被设定为能够从靶基板（7a）剥离薄膜层（7b）的值。 | ||
| 搜索关键词： | 聚变 装置 以及 方法 | ||
【主权项】：
一种核聚变靶材，其特征在于：是用于使核聚变反应发生的核聚变靶材，具备：第1靶层，含有氘或者氚且具有第1膜厚；第2靶层，层叠于所述第1靶层上，含有氘或者氚且具有比所述第1膜厚薄的第2膜厚。
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