[发明专利]半导体激光器有效

专利信息
申请号: 201080057349.9 申请日: 2010-11-12
公开(公告)号: CN102668277A 公开(公告)日: 2012-09-12
发明(设计)人: 迪米特里·迪尼;马克·希尔加利斯 申请(专利权)人: 欧司朗光电半导体有限公司
主分类号: H01S5/02 分类号: H01S5/02;H01S5/323;H01S5/042;H01S5/22
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 张春水;田军锋
地址: 德国雷*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 提出了一种半导体激光器(1),所述半导体激光器具有:带有设置用于产生辐射的有源区域(20)的半导体本体(2);和桥状区域(3)。桥状区域具有沿着发射方向延伸的纵轴线(30),所述纵轴线以相对于半导体本体的沿发射方向延伸的中轴线(25)沿横向偏移的方式设置。此外,提出了一种用于制造半导体激光器的方法。
搜索关键词: 半导体激光器
【主权项】:
半导体激光器(1),所述半导体激光器具有:带有设置用于产生辐射的有源区域(20)的半导体本体(2);和桥状区域(3),其中所述桥状区域具有沿着发射方向延伸的纵轴线(35),并且其中所述纵轴线相对于所述半导体本体的沿发射方向延伸的中轴线(25)以在横向上偏移的方式设置。
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