[发明专利]IB/IIIA/VIA族薄膜太阳能吸收器的镀覆化学物无效
| 申请号： | 201080057380.2 | 申请日： | 2010-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN102859046A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | S·阿克苏;J·王;M·皮纳巴斯 | 申请（专利权）人： | 索罗能源公司 |
| 主分类号： | C25D7/12 | 分类号： | C25D7/12 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 李帆 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供用于形成IBIIIAIVA族太阳能电池吸收器层的方法和前体结构。该方法包括通过如下方式在基底上形成IBIIIAVIA族化合物层：通过电沉积三个不同膜以在基底上形成前体层和随后使所述前体层与硒反应从而在基底上形成IBIIIAVIA族化合物层。表述为前体层的三个膜在第一实施方案中包括包含铜、铟和镓的第一合金膜、在第一合金膜上形成的包含铜和硒的第二合金膜；和在第二合金膜上形成的硒膜。 | ||
| 搜索关键词： | ib iiia via 薄膜 太阳能 吸收 镀覆 化学 | ||
【主权项】：
在基底上形成IBIIIAVIA族化合物层的方法，该方法包括：在基底上形成前体层，包括：使用第一电沉积溶液在基底上电沉积第一膜，该第一膜包含铜‑铟‑镓三元合金；使用第二电沉积溶液在所述金属膜上电沉积第二膜，该第二膜包含铜‑硒合金、铟‑硒合金和镓‑硒合金其中之一；和在第二膜上电镀第三膜，该第三膜包含硒；和使所述前体层与硒反应，由此在基底上形成IBIIIAVIA族化合物层。
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