[发明专利]带有位于具有多个区域的气垫上的基板保持件的CVD反应器有效
申请号: | 201080057579.5 | 申请日: | 2010-10-08 |
公开(公告)号: | CN102656294A | 公开(公告)日: | 2012-09-05 |
发明(设计)人: | F.鲁达伊维特;J.卡佩勒 | 申请(专利权)人: | 艾克斯特朗欧洲公司 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458;C23C16/46;C23C16/48 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 任宇 |
地址: | 德国黑*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 本发明涉及一种带有处理腔(23)和布置在该处理腔中的基板保持件支架(1)的CVD反应器,该基板保持件支架(1)具有至少一个支承面(4),其中,在所述支承面(4')中通入多个气体输入管道(7,8);所述CVD反应器还具有一以其背面指向所述支承面(4')的基板保持件(2),其中,通过气体输入管道(7,8)供入支承面(4')与背面之间空间中的气体形成支撑所述基板保持件(2)的气垫(19)。重要的是,气垫具有多个分别能够通过对应配设的气体输入管道(7,8)个别供气的区域(A,C),所述区域(A,C)通过防止各区域之间气体交换的器件(15)分隔,其中,至少一个位于内部的区域(C)配有一气体排出管道(13,14),通过气体排出管道(13,14),位于内部的区域(C)能够排出由输入管道(7,8)供入的气体。不同导热率的气体输入这些区域中。 | ||
搜索关键词: | 带有 位于 具有 区域 气垫 保持 cvd 反应器 | ||
【主权项】:
一种带有处理腔(23)和设在该处理腔中的基板保持件支架(1)的CVD反应器,该基板保持件支架(1)具有至少一个支承面(4),其中,在所述支承面(4')中通入多个气体输入管道(7,8),该CVD反应器还具有以其背面指向所述支承面(4')的基板保持件(2),其中,由所述气体输入管道(7,8)通入支承面(4')与背面之前的空间中的气体形成支撑所述基板保持件(2)的气垫(19),其特征在于,所述气垫具有多个可分别通过对应配设的气体输入管道(7,8)个别供气的区域(A,C),所述各区域(A,C)通过防止各区域(A,C)之间气体交换的器件(15)相互隔开,其中,至少一个位于内部的区域(C)配有气体排出管道(13,14),由所述输入管道(7,8)输入所述位于内部的区域(C)中的气体能够通过所述气体排出管道(13,14)导出。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的