[发明专利]Ⅲ族氮化物晶体衬底、包含外延层的Ⅲ族氮化物晶体衬底、半导体器件及其制造方法

摘要

提供一种Ⅲ族氮化物晶体衬底（1），其中，在满足所述晶体衬底的任意特定平行晶格面（1d）的X射线衍射条件的同时，通过利用从所述晶体衬底的主表面（1s）起的X射线穿透深度的变化进行X射线衍射测量，来获得所述晶体衬底的所述特定平行晶格面（1d）的面间距，在由d1表示在X射线穿透深度为0.3μm时的面间距并且d2表示在X射线穿透深度为5μm时的面间距的情况下，由|d1–d2|/d2的值表示的晶体衬底的表面层的平均形变等于或低于1.7×10-3，并且，其中，主表面（1s）的面取向在[0001]方向上相对于包括晶体衬底的c轴（1c）的面（1v）具有等于或大于-10°且等于或小于10°的倾斜角。由此可以提供适合制造抑制了发光蓝移的发光器件的Ⅲ族氮化物晶体衬底、包含外延层的Ⅲ族氮化物晶体衬底、半导体器件及其制造方法。

主权项

一种Ⅲ族氮化物晶体衬底，其中，在满足所述晶体衬底的任意特定平行晶格面（1d）的X射线衍射条件的同时，通过利用从所述晶体衬底的主表面（1s）起的X射线穿透深度的变化进行X射线衍射测量，来获得所述晶体衬底的所述特定平行晶格面（1d）的面间距，在由d1表示在所述X射线穿透深度为0.3μm时的面间距并且d2表示在所述X射线穿透深度为5μm时的面间距的情况下，由|d1–d2|/d2的值表示的所述晶体衬底的表面层（1p）的平均形变等于或低于1.7×10‑3，并且，其中，所述主表面（1s）的面取向在[0001]方向上相对于包括所述晶体衬底的c轴（1c）的面（1v）具有等于或大于‑10°且等于或小于10°的倾斜角。