[发明专利]半导体装置

摘要

提供：第一晶体管，包含沟道形成区域、第一栅极绝缘层、第一栅电极、以及第一源电极和第一漏电极；第二晶体管，包含氧化物半导体层、第二源电极和第二漏电极、第二栅极绝缘层、以及第二栅电极；以及电容器，包含第二源电极和第二漏电极中的一个、第二栅极绝缘层、以及提供为在第二栅极绝缘层之上与第二源电极和第二漏电极中的一个重叠的电极。第一栅电极以及第二源电极和第二漏电极中的一个彼此电连接。

主权项

一种半导体装置，包括：第一晶体管，包括：沟道形成区域；第一杂质区域和第二杂质区域，将所述沟道形成区域插入于所述第一杂质区域和所述第二杂质区域之间；第一绝缘层，在所述沟道形成区域之上；第一栅电极，在所述沟道形成区域之上，将所述第一绝缘层插入于其间；第一电极，电连接到所述第一杂质区域；以及第二电极，电连接到所述第二杂质区域；第二晶体管，包括：氧化物半导体层；第三电极和第四电极，所述第三电极和所述第四电极中的每个电连接到所述氧化物半导体层；第二绝缘层，在所述氧化物半导体层、所述第三电极以及所述第四电极之上；以及第二栅电极，与所述氧化物半导体层重叠，将所述第二绝缘层插入于其间；电容器元件，包括：所述第三电极；所述第二绝缘层；以及第五电极，与所述第三电极重叠，将所述第二绝缘层插入于其间，其中所述第一栅电极和所述第三电极彼此电连接。