[发明专利]向集成电路器件施加应变的技术和配置有效
| 申请号： | 201080058699.7 | 申请日： | 2010-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN102668090A | 公开（公告）日： | 2012-09-12 |
| 发明（设计）人： | M·拉多萨夫列维奇;G·杜威;N·慕克吉;R·皮拉里塞泰 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L21/335 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本公开内容的实施例描述了向诸如水平场效应晶体管等集成电路器件施加应变的技术和配置。集成电路器件包括：半导体衬底；第一阻挡膜，其与所述半导体衬底耦合；量子阱沟道，其耦合至所述第一阻挡膜，所述量子阱沟道包括具有第一晶格常数的第一材料；以及源极结构，其耦合至所述量子阱沟道，所述源极结构包括具有第二晶格常数的第二材料，其中所述第二晶格常数不同于所述第一晶格常数，从而在所述量子阱沟道上施加应变。可以描述和/或请求保护其它实施例。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 器件 施加 应变 技术 配置 | ||
【主权项】：
一种装置，包括：半导体衬底；第一阻挡层，其与所述半导体衬底耦合；量子阱沟道，其耦合至所述第一阻挡层，所述量子阱沟道包括具有第一晶格常数的第一材料；以及源极结构，其耦合至所述量子阱沟道，所述源极结构包括具有第二晶格常数的第二材料，其中所述第二晶格常数不同于所述第一晶格常数。
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