[发明专利]变容二极管和用于制造变容二极管的方法无效
| 申请号： | 201080058831.4 | 申请日： | 2010-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN102667982A | 公开（公告）日： | 2012-09-12 |
| 发明（设计）人： | 安德烈埃·特斯蒂诺 | 申请（专利权）人： | 爱普科斯公司 |
| 主分类号： | H01G7/04 | 分类号： | H01G7/04;H01G7/06;H01L29/93 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张春水;田军锋 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 变容二极管包括下述组成部分：第一PTC区域（4），所述第一PTC区域包括具有在电阻方面正温度系数的陶瓷材料；电容器区域（3），所述电容器区域包括第一电极（2）、第二电极（2’）、第一介电层（1），所述第一介电层设置在第一电极（2）和第二电极（2’）之间，其中第一PTC区域（4）和电容器区域（3）导热地彼此连接，并且电容器区域（3）的电容能够通过将偏压施加到第一PTC区域（4）上、电容器区域（3）上或第一PTC区域（4）和电容器区域（3）上而改变。 | ||
| 搜索关键词： | 变容二极管 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
变容二极管，包括下述组成部分：‑第一PTC区域（4），所述第一PTC区域包括具有在电阻方面正温度系数的陶瓷材料；和‑电容器区域（3），所述电容器区域包括：‑第一电极（2）、‑第二电极（2’）、‑第一介电层（1），所述第一介电层设置在所述第一电极（2）和所述第二电极（2’）之间，其中所述第一PTC区域（4）和所述电容器区域（3）导热地彼此连接，并且所述电容器区域（3）的电容能够通过将偏压施加到‑所述第一PTC区域（4）上、‑所述电容器区域（3）上‑所述第一PTC区域（4）和所述电容器区域（3）上来改变。
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