[发明专利]用于制造电子构件的方法以及按照所述方法制造的电子构件有效
| 申请号： | 201080059283.7 | 申请日： | 2010-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN102696104A | 公开（公告）日： | 2012-09-26 |
| 发明（设计）人： | 冈特·琼森;赫尔曼·斯蒂格劳尔 | 申请（专利权）人： | 联合单片半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 车文;樊卫民 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 对于具有GaAs半导体衬底（HS）的电子构件，在该GaAs半导体衬底的正面上构造有半导体器件（BE），并且在该GaAs半导体衬底的背面设有多层的背面金属化部（RM），提出了背面金属化部的层序列的一种有利构造，尤其是背面金属化部具有Au层作为粘附层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 电子 构件 方法 以及 按照 | ||
【主权项】：
用于制造电子构件（EB）的方法，所述电子构件具有至少一个在GaAs衬底（HS）的正面上的半导体器件（BE），其中，所述衬底的背向所述器件的背面设有背面金属化部（RM），其中，将粘附层施加到衬底材料的表面上，并且之后沉积有Au传导层（4），所述Au传导层（4）的厚度为所述背面金属化部总厚度的至少50%，其特征在于，将第一Au层（1）作为粘附层来沉积。
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