[发明专利]用于形成NMOS外延层的方法

摘要

本发明提供具有受控沟道应变和结电阻的NMOS晶体管及NMOS晶体管的制造方法。在一些实施方式在中，用于形成NMOS晶体管的方法可以包括(a)提供具有p型硅区域的衬底；(b)在所述p型硅区域上沉积硅晶种层；(c)所述硅晶种层上沉积含硅体层，所述含硅体层包含硅，硅和晶格调整元素，或者硅和n型掺杂剂；(d)在所述含硅体层中注入所述晶格调整元素或者所述n型掺杂剂中的至少一种，所述晶格调整元素或者所述n型掺杂剂中的至少一种不在步骤(c)中沉积的所述含硅体层中；和(e)在步骤(d)注入之后，使用能量光束对所述含硅体层进行退火。在一些实施方式中，所述衬底可包含部分制造的NMOS晶体管器件，在所述NMOS晶体管器件中限定有源极区域/漏极区域。

主权项

一种用于形成n型金属氧化物半导体(NMOS)晶体管的方法，所述方法包含以下步骤：(a)提供具有p型硅区域的衬底；(b)使用具有第一处理气体的第一工艺在所述p型硅区域上沉积硅晶种层；(c)使用具有第二处理气体的第二工艺在所述硅晶种层上沉积含硅体层，所述含硅体层包含硅和n型掺杂剂，且不具有晶格调整元素，所述第二处理气体不同于所述第一处理气体；(d)在所述含硅体层上沉积氧化硅层；(e)在包含硅和n型掺杂剂且不具有所述晶格调整元素的所述含硅体层中注入所述晶格调整元素；和(f)在步骤(e)注入之后，使用能量光束对所述含硅体层进行退火,其中所述氧化硅层是在步骤(f)之前或之后去除。