[发明专利]半导体膜及光电转换装置有效
| 申请号： | 201080059933.8 | 申请日： | 2010-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN102725822A | 公开（公告）日： | 2012-10-10 |
| 发明（设计）人： | 奈须野善之;西村和仁;中野孝纪 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L31/075 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 岳雪兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体膜及包括该半导体膜的光电转换装置，该半导体膜（2）形成在基板（1）的表面上且含有晶质，具有包括半导体膜（2）的表面中心的中心区域（2b）及位于中心区域（2b）周围的周边缘区域（2a），该半导体膜（2）在周边缘区域（2a）的结晶化率大于中心区域（2b）的结晶化率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 光电 转换 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体膜（2），其形成在基板（1）的表面上且含有晶质，其特征在于，具有包括该半导体膜（2）的表面中心的中心区域（2b）及位于所述中心区域（2b）周围的周边缘区域（2a），该半导体膜（2）在所述周边缘区域（2a）的结晶化率大于所述中心区域（2b）的结晶化率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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