[发明专利]相移光掩模和图案化方法无效
| 申请号： | 201080060390.1 | 申请日： | 2010-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN102822741A | 公开（公告）日： | 2012-12-12 |
| 发明（设计）人： | B·奥尔森;M·刘;C·马;J·马;A·T·贾米森 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G03F1/29 | 分类号： | G03F1/29;G03F1/26;G03F1/30 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 姜冰;卢江 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种相移光掩模坯，具有石英衬底、下铬层、光吸收MoSi层和上铬层。能以各种手段来图案化该掩模以形成带有相移和二元区域的图案化的光掩模。 | ||
| 搜索关键词： | 相移 光掩模 图案 方法 | ||
【主权项】：
一种光掩模坯，包含：衬底；所述衬底上的下硬掩模区；所述下硬掩模区上的吸收区；以及所述吸收区上的上硬掩模区。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特尔公司，未经英特尔公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201080060390.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：功率控制管理器及方法
- 下一篇：具有水下拍摄模式的数字相机
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
