[发明专利]液浸构件、曝光装置、曝光方法及元件制造方法有效
申请号: | 201080060647.3 | 申请日: | 2010-12-28 |
公开(公告)号: | CN102714141A | 公开(公告)日: | 2012-10-03 |
发明(设计)人: | 柴崎祐一 | 申请(专利权)人: | 株式会社尼康 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;G03F7/20 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 李今子 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 液浸构件以曝光用光的光路由液体填满的方式在和可移动的物体之间形成液浸空间。液浸构件包含:第1板,其配置于光路周围的至少一部分;第2板,其配置于光路周围的至少一部分,包含和第1板的下表面的至少一部分对向的上表面及物体能够对向的下表面;及回收口,其相对于光路配置在第1板的外侧,物体能够和至少一部分对向,回收来自第2板的上表面所面对的第1空间及第2板的下表面所面对的第2空间的液体的至少一部分。 | ||
搜索关键词: | 构件 曝光 装置 方法 元件 制造 | ||
【主权项】:
一种液浸构件,其以曝光用光的光路由液体填满的方式在和可移动的物体之间形成液浸空间;且包含:第1板,其配置在所述光路周围的至少一部分;第2板,其配置在所述光路周围的至少一部分,且包含和所述第1板的下表面的至少一部分对向的上表面及所述物体可对向的下表面;及回收口,其相对于所述光路配置在所述第1板的外侧,所述物体能够和至少一部分对向,回收来自所述第2板的上表面所面对的第1空间及所述第2板的下表面所面对的第2空间的液体的至少一部分。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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