[发明专利]外延片以及半导体元件

摘要

提供一种碳化硅外延片以及碳化硅半导体元件，可提高外延生长层的晶体质量，在形成厚膜的外延生长层时也不会使载流子移动性降低，且元件电阻低。碳化硅半导体元件（101）具有：n型碳化硅基板（1），以浓度C掺杂了氮那样的通过掺杂会使晶格常数减小的掺杂物；n型碳化硅外延生长层（3），以比碳化硅基板小的浓度掺杂了与碳化硅基板（1）相同的掺杂物；和n型缓冲层，在碳化硅基板（1）与碳化硅外延层（3）之间掺杂了所述掺杂物。缓冲层（2）以层叠了2层以上的相同厚度的层而成的多层构造形成，相对多层构造的层数N，从碳化硅外延层（3）侧起第K个层的掺杂浓度成为C·K/（N+1）。

主权项

一种外延片，其特征在于，具有：第1导电类型的碳化硅基板，以浓度C掺杂了通过掺杂会使晶格常数减小的掺杂物；第1导电类型的缓冲层，设置在所述碳化硅基板上，并掺杂了所述掺杂物；以及第1导电类型的碳化硅外延生长层，设置在所述缓冲层上，以比所述碳化硅基板小的浓度掺杂了所述掺杂物，其中，以层叠了2层以上的厚度大致相同的层而成的多层构造来形成所述缓冲层，所述缓冲层相对所述多层构造的层数N，从所述碳化硅外延生长层侧起第K个层的掺杂浓度是C·K/（N+1）。