[发明专利]III族氮化物半导体激光器元件、制作III族氮化物半导体激光器元件的方法及评估因形成刻划槽所致损伤的方法

摘要

本发明提供一种III族氮化物半导体激光器元件，其在六方晶系III族氮化物的c轴向m轴的方向倾斜的支撑基体的半极性面上，具有可实现低阈值电流的激光谐振器、并在用于该激光谐振器的元件端部具有可缩小芯片宽度的端部构造。激光器构造体(13)在一个切断面(27)上具有设于第1面(13a)的边缘(13c)的一部分的凹部(28、30)。凹部(28、30)各自包含残留在各个半导体元件上的刻划痕迹，这些半导体元件通过刻划槽所导引的切断而分离。凹部(28)具有位于第1面(13a)上的端部(28b)，而且凹部(30)具有位于第1面(13a)上的端部(30b)。第1凹部(28)的端部(28b)与激光条纹间的第1间隔(W1)，小于第2凹部(30)的端部(30b)与激光条纹间的第2间隔(W2)。

主权项

一种III族氮化物半导体激光器元件，其包括：激光器构造体，其包括由六方晶系III族氮化物半导体构成且具有半极性主面的支撑基体、及设于上述支撑基体的上述半极性主面上的半导体区域；及电极，其设于上述激光器构造体的上述半导体区域上，上述法线轴与上述六方晶系III族氮化物半导体的c轴所成的角度，处于45度以上80度以下或者100度以上135度以下的范围，上述半导体区域包括由第1导电型氮化镓系半导体构成的第1包覆层、由第2导电型氮化镓系半导体构成的第2包覆层、以及设于上述第1包覆层与上述第2包覆层之间的活性层，上述第1包覆层、上述第2包覆层以及上述活性层沿上述半极性主面的法线轴而排列，上述活性层含有氮化镓系半导体层，上述支撑基体的上述六方晶系III族氮化物半导体的c轴，相对于上述法线轴而向上述六方晶系III族氮化物半导体的m轴的方向以角度ALPHA倾斜，上述激光器构造体包含与m‑n面交叉的第1以及第2切断面，该m‑n面由上述六方晶系III族氮化物半导体的m轴以及上述法线轴所界定，该III族氮化物半导体激光器元件的激光谐振器包含上述第1以及第2切断面，上述第1以及第2切断面分别自上述第1面的边缘延伸至上述第2面的边缘，上述激光器构造体包含第1以及第2面，上述第1面为上述第2面的相反侧的面，上述半导体区域位于上述第1面与上述基板之间，上述激光器构造体含有在上述支撑基体的上述半极性主面上在波导轴的方向延伸的激光条纹，上述波导轴自上述第1以及第2切断面中的一方朝向另一方延伸，上述激光器构造体中，在上述第1切断面上具有在上述第1面的上述边缘的一部分设置的第1以及第2凹部，该第1以及第2凹部自上述激光器构造体的上述第1面延伸，该第1以及第2凹部的底端与上述激光器构造体的上述第2面的边缘隔开，上述第1凹部具有设于上述第1面上的端部，并且上述第2凹部具有设于上述第1面上的端部，上述激光条纹与上述第1凹部的上述端部间的第1间隔，小于上述激光条纹与上述第2凹部的上述端部间的第2间隔。