[发明专利]半导体装置有效
申请号: | 201080061354.7 | 申请日: | 2010-12-20 |
公开(公告)号: | CN102714208A | 公开(公告)日: | 2012-10-03 |
发明(设计)人: | 山崎舜平;小山润;加藤清 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L27/105 | 分类号: | H01L27/105;C23C14/08;H01L21/8234;H01L21/8242;H01L21/8247;H01L27/08;H01L27/088;H01L27/10;H01L27/108;H01L27/115;H01L29/786;H01L29/788;H01 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 刘倜 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 目的在于提供一种具有新颖结构的半导体装置,其中即使在不供电时仍能够保持所存储的数据,并且没有对写入操作次数的限制。半导体装置包括源极位线、第一信号线、第二信号线、字线、以及连接在源极位线之间的存储器单元。存储器单元包括第一晶体管、第二晶体管和电容器。第二晶体管被形成为包括氧化物半导体材料。第一晶体管的栅极电极、源极和漏极电极中的一个、以及电容器的一个电极彼此电连接。源极位线同第一晶体管的源极电极彼此电连接。与上述源极位线相邻的另一源极位线同第一晶体管的漏极电极彼此电连接。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
【主权项】:
一种半导体装置,包括:多个源极位线,在第一方向上延伸;多个第一信号线,在所述第一方向上延伸;多个第二信号线,在第二方向上延伸;多个字线,在所述第二方向上延伸;多个存储器单元,并联连接在所述多个源极位线之间;第一驱动器电路,电连接到所述多个源极位线;第二驱动器电路,电连接到所述多个第一信号线;第三驱动器电路,电连接到所述多个第二信号线;以及第四驱动器电路,电连接到所述多个字线,其中所述多个存储器单元中的一个包括:第一晶体管,包括第一栅极电极、第一源极电极和第一漏极电极;第二晶体管,包括第二栅极电极、第二源极电极和第二漏极电极;以及电容器,其中所述第二晶体管包括氧化物半导体材料,其中所述第一栅极电极、所述第二源极电极和第二漏极电极中的一个、以及所述电容器的一个电极彼此电连接,其中所述多个源极位线中的一个与所述第一源极电极彼此电连接,其中与所述多个源极位线中的所述的一个相邻的所述多个源极位线中的另一个与所述第一漏极电极彼此电连接,其中所述多个第一信号线中的所述的一个与所述第二源极电极和第二漏极电极中的另一个彼此电连接,其中所述多个第二信号线中的一个与所述第二栅极电极彼此电连接,以及其中所述多个字线中的一个与所述电容器的另一电极彼此电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的