[发明专利]使用数量减少的验证操作来编程非易失性存储器

摘要

提供了一种方法和非易失性存储系统，其中，通过减少验证操作的数量来提高编程速度，同时保持窄的阈值电压分布。编程方案在达到目标数据状态的验证电平前在偏移电平处执行验证操作，以便使得编程慢下来。然而，不必总是在偏移和目标电平两者处执行验证操作。在第一编程阶段中，仅在目标验证电平处对于给定的数据状态执行验证操作。在第二编程阶段中，对于偏移和目标验证电平执行验证操作。在第三编程阶段中，再次仅在目标验证电平处执行验证操作。在阶段之间的过渡可以是基于编程脉冲数量预定的或是自适应的。

主权项

一种用于对于在非易失性存储系统中的一组存储元件执行编程操作的多个编程迭代的方法，包括：对于所述组（155）的N2个编程迭代的每一个，施加编程脉冲；执行使用数据状态的偏移验证电平（VvaL,VvbL）的验证操作，所述偏移验证电平偏离所述数据状态的最后验证电平（Vva,Vvb）；以及执行使用所述最后验证电平的验证操作；以及对于所述组的跟随所述N2个编程迭代的N3个编程迭代的每一个，施加编程脉冲；以及执行使用所述最后验证电平的验证操作，而不执行使用所述偏移验证电平的验证操作。