[发明专利]掩蔽材料的去除无效
| 申请号： | 201080062933.3 | 申请日： | 2010-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN103119694A | 公开（公告）日： | 2013-05-22 |
| 发明（设计）人： | 阿里·阿法扎里-阿达卡尼;托马斯·H·鲍姆;卡尔·E·博格斯;埃马纽尔·I·库珀;道格拉斯·塞沃;马修·科恩;马默德·科加斯泰;罗纳德·W·努内斯;乔治·加布里尔·托蒂尔 | 申请（专利权）人： | 高级技术材料公司;国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/3063 | 分类号： | H01L21/3063 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 张颖;谢丽娜 |
| 地址： | 美国康*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了用于去除掩蔽材料例如光致抗蚀剂的方法和通过去除掩蔽材料形成的电子器件。例如，用于去除掩蔽材料的方法包括将掩蔽材料与包含铈和至少一种其它氧化剂的溶液接触。铈可以包含在盐中。盐可以是硝酸铈铵。所述至少一种其它氧化剂可以是含有锰、钌、和/或锇的化合物。 | ||
| 搜索关键词： | 掩蔽 材料 去除 | ||
【主权项】：
用于去除掩蔽材料的方法，所述方法包括将所述掩蔽材料与包含铈化合物、水、和任选的至少一种其它氧化剂的溶液接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于高级技术材料公司;国际商业机器公司，未经高级技术材料公司;国际商业机器公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201080062933.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
