[发明专利]使用三维半导体吸收器的高效光伏背触点太阳能电池的结构和制造方法

摘要

提供了背结背触点三维太阳能电池及其制造方法。背结背触点三维太阳能电池包括三维衬底。该衬底包括具有钝化层的光捕获正面表面，掺杂的基极区域，和极性与掺杂的基极区域相反的掺杂的背面发射极区域。背面钝化层置于掺杂的背面发射极区域上。背面发射极触点和背面基极触点，其连接至金属互连件且选择性地在三维太阳能电池背面的三维特征上形成。

主权项

一种背结背触点三维薄太阳能电池,包括：具有正面和背面的三维沉积的半导体层，包括：具有钝化层的光俘获正面表面，掺杂的基极区域，和掺杂的背面发射极区域，其极性与所述掺杂的基极区域相反；在所述掺杂的背面发射极区域上的背面钝化层；背面发射极触点和背面基极触点，其连接至金属互连件且选择性地在所述三维沉积的半导体层背面的三维特征上形成；和在所述背结背触点三维薄太阳能电池的正面设置的透明正面永久性支撑增强物。