[发明专利]背面接触太阳能电池的制造方法

摘要

根据本发明的背面接触太阳能电池的制造方法包含下面的步骤：制备具有通孔的p型硅衬底；执行扩散工艺以在整个衬底表面形成发射层；在衬底的前表面和背表面上形成蚀刻掩模以选择性地暴露部分衬底；蚀刻由蚀刻掩模暴露的区域中的部分厚度的衬底以移除相应区域中的发射层；在衬底的前表面上形成抗反射膜；以及在衬底的前表面形成格栅电极，并且在衬底的背表面上形成n电极和p电极。

主权项

一种背面电极型太阳能电池的制造方法，包括：制备具有通孔的p型硅衬底；通过扩散工艺沿着所述衬底的周边形成高浓度发射层；在所述衬底的前表面和背表面上形成蚀刻掩模以选择性地暴露所述衬底；将由所述蚀刻掩模暴露的区域中的衬底的部分蚀刻至预定厚度以移除所述暴露的区域的高浓度发射层；在所述衬底的前表面上形成抗反射膜；以及在所述衬底的前表面形成格栅电极和在所述衬底的背表面形成n电极以及p电极。