[发明专利]将电阻率测量采用于间接确定硅烷和锗烷的纯度和一种相应的方法在审
| 申请号： | 201080064775.5 | 申请日： | 2010-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN102770755A | 公开（公告）日： | 2012-11-07 |
| 发明（设计）人： | E.米;H.劳莱德;R.阿门德;M.哈杰杜克 | 申请（专利权）人： | 赢创德固赛有限公司 |
| 主分类号： | G01N27/12 | 分类号： | G01N27/12 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李少丹;卢江 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于在采用测量电阻率的设备的条件下间接确定硅烷和锗烷的纯度的方法。本发明还涉及一种用于工业生产和/或充填硅烷或锗烷、包括质量检查的装置，在质量检查时采用了用于测量电阻率的设备。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻率 测量 用于 间接 确定 硅烷 纯度 一种 相应 方法 | ||
【主权项】：
用于间接确定硅烷和锗烷的纯度的方法，其特征在于，从硅烷或锗烷中通过从气体状态中淀积到表面上来制造硅层或锗层，然后测量所制成层的电阻率，并从所测量的值中借助事先确定的参考值，推断出采用于制造所述层的硅烷或锗烷的纯度。
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