[发明专利]用传声器换能器形成的集成电路无效
申请号: | 201080064977.X | 申请日: | 2010-12-20 |
公开(公告)号: | CN102783183A | 公开(公告)日: | 2012-11-14 |
发明(设计)人: | M·丹尼森;B·E·古德林;W-Y·施文;L·W·巴伦 | 申请(专利权)人: | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
主分类号: | H04R19/04 | 分类号: | H04R19/04 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人: | 赵蓉民 |
地址: | 美国德*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种集成到集成电路(2000)中的电容性传声器换能器包括固定板(2006)以及形成在该集成电路的互连区域(2004)之中或之上的膜(2012)。一种形成包含电容性传声器换能器的集成电路的工艺包括:蚀刻穿过固定板(2006)到为背侧腔(2014)限定的区域的接入槽(2010);用牺牲材料填充接入槽;以及从集成电路的背侧去除一部分牺牲材料。 | ||
搜索关键词: | 传声器 换能器 形成 集成电路 | ||
【主权项】:
一种包括电容性传声器换能器的集成电路,其包括:衬底;形成在所述衬底的顶表面上的第一互连区域;形成在所述第一互连区域的顶表面上的固定板;第一膜层,其形成在所述固定板上方,以便在所述第一膜层和所述固定板之间存在传声器换能器腔;形成在所述衬底中的背侧腔,其延伸至所述衬底的底表面;以及接入槽,其穿过所述第一互连区域进入所述衬底形成,以便所述接入槽连接所述传声器换能器腔和所述背侧腔。
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