[发明专利]多芯片集成电路有效
| 申请号： | 201080065118.2 | 申请日： | 2010-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN102812548A | 公开（公告）日： | 2012-12-05 |
| 发明（设计）人： | 阿利弗·瑞曼;帆特桑·穆拉立 | 申请（专利权）人： | 吉林克斯公司 |
| 主分类号： | H01L21/98 | 分类号： | H01L21/98;H01L25/065;H01L23/538;H01L23/00;H01L21/68;H01L23/31;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 黄灿;程美琼 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种复合集成电路(IC，100)在重建晶圆底座上结合具有第一晶上互连结构(114)的第一IC晶粒(芯片，102)与具有第二晶上互连结构(115)的第二IC晶粒(104)。第二IC晶粒是以氧化物对氧化物边缘接合(110)而被边缘接合到第一IC晶粒。芯片对芯片互连结构(118)电气耦合第一IC晶粒与第二IC晶粒。制造所述种复合集成电路的方法亦被描述于此。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 集成电路 | ||
【主权项】：
一种复合集成电路，其包含：第一集成电路晶粒，其具有第一晶上互连结构，第一集成电路晶粒是被安装在重建晶圆底座上；第二集成电路晶粒，其具有第二晶上互连结构，第二集成电路晶粒是被安装在所述重建晶圆底座上且第二集成电路晶粒是以氧化物对氧化物边缘接合而被边缘接合到第一集成电路晶粒；及芯片对芯片互连结构，其配置在第一集成电路晶粒上及第二集成电路晶粒上；其中所述芯片对芯片互连结构将第一晶上互连结构电气耦合到第二晶上互连结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
