[发明专利]制造双面装备有芯片的晶片的方法有效

专利信息
申请号: 201080065914.6 申请日: 2010-03-31
公开(公告)号: CN102812546A 公开(公告)日: 2012-12-05
发明(设计)人: J.布格拉夫;M.温普林格;H.韦斯鲍尔 申请(专利权)人: EV集团E·索尔纳有限责任公司
主分类号: H01L21/68 分类号: H01L21/68
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 张涛;卢江
地址: 奥地利圣*** 国省代码: 奥地利;AT
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摘要: 发明涉及一种用于制造特别是双面装备有芯片(12,15)的产品晶片(1)的方法,具有以下流程:处理该产品晶片的第一面(3);通过该产品晶片的第一面(3)在硬性的第一载体晶片(8)上将该产品晶片与第一中间层(18)相接合,该第一中间层由至少施加在边缘侧的第一附着层(6)构成;处理该产品晶片的与第一面相对置的第二面;通过该产品晶片的第二面在硬性的第二载体晶片(13)上将该产品晶片与第二中间层(17)相接合,该第二中间层由至少施加在边缘侧的第二附着层(14)构成;其中,将第一中间层和第二中间层构造为不同的,使得能够选择性地使第一载体晶片(8)在第二载体晶片(13)之前与产品晶片分离。
搜索关键词: 制造 双面 装备 芯片 晶片 方法
【主权项】:
一种用于制造特别是双面装备有芯片(12,15)的产品晶片(1)的方法,具有以下流程:‑处理该产品晶片(1)的第一面(3);‑通过该产品晶片(1)的第一面(3)在硬性的第一载体晶片(8)上将该产品晶片(1)与第一中间层(18, 18’,18”)相接合,该第一中间层(18, 18’,18”)由至少施加在边缘侧的第一附着层(6)构成;‑处理该产品晶片(1)的与所述第一面(3)相对置的第二面(2);以及‑通过该产品晶片(1)的第二面(2)在硬性的第二载体晶片(13)上将该产品晶片(1)与第二中间层(17, 17’,17”)相接合,该第二中间层(17, 17’,17”)由至少施加在边缘侧的第二附着层(14)构成;其特征在于,将所述第一中间层(18, 18’,18”)和第二中间层(17, 17’,17”)构造为不同的,使得能够选择性地使所述第一载体晶片(8)在所述第二载体晶片(13)之前分离。
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