[发明专利]制造双面装备有芯片的晶片的方法有效
申请号: | 201080065914.6 | 申请日: | 2010-03-31 |
公开(公告)号: | CN102812546A | 公开(公告)日: | 2012-12-05 |
发明(设计)人: | J.布格拉夫;M.温普林格;H.韦斯鲍尔 | 申请(专利权)人: | EV集团E·索尔纳有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 张涛;卢江 |
地址: | 奥地利圣*** | 国省代码: | 奥地利;AT |
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摘要: | 本发明涉及一种用于制造特别是双面装备有芯片(12,15)的产品晶片(1)的方法,具有以下流程:处理该产品晶片的第一面(3);通过该产品晶片的第一面(3)在硬性的第一载体晶片(8)上将该产品晶片与第一中间层(18)相接合,该第一中间层由至少施加在边缘侧的第一附着层(6)构成;处理该产品晶片的与第一面相对置的第二面;通过该产品晶片的第二面在硬性的第二载体晶片(13)上将该产品晶片与第二中间层(17)相接合,该第二中间层由至少施加在边缘侧的第二附着层(14)构成;其中,将第一中间层和第二中间层构造为不同的,使得能够选择性地使第一载体晶片(8)在第二载体晶片(13)之前与产品晶片分离。 | ||
搜索关键词: | 制造 双面 装备 芯片 晶片 方法 | ||
【主权项】:
一种用于制造特别是双面装备有芯片(12,15)的产品晶片(1)的方法,具有以下流程:‑处理该产品晶片(1)的第一面(3);‑通过该产品晶片(1)的第一面(3)在硬性的第一载体晶片(8)上将该产品晶片(1)与第一中间层(18, 18’,18”)相接合,该第一中间层(18, 18’,18”)由至少施加在边缘侧的第一附着层(6)构成;‑处理该产品晶片(1)的与所述第一面(3)相对置的第二面(2);以及‑通过该产品晶片(1)的第二面(2)在硬性的第二载体晶片(13)上将该产品晶片(1)与第二中间层(17, 17’,17”)相接合,该第二中间层(17, 17’,17”)由至少施加在边缘侧的第二附着层(14)构成;其特征在于,将所述第一中间层(18, 18’,18”)和第二中间层(17, 17’,17”)构造为不同的,使得能够选择性地使所述第一载体晶片(8)在所述第二载体晶片(13)之前分离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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