[发明专利]在BiCMOS工艺技术中的高电压可控硅整流器金属氧化物半导体有效
| 申请号： | 201080065938.1 | 申请日： | 2010-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN102834919B | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | S·P·潘德哈尔克 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种集成电路，其包括通过在漏极区（1010）和SCR端子（1012）周围的降低表面场（RESURF）区（1024）形成的SCRMOS晶体管。RESURF区与漂移区（1014）导电类型相同并且比漂移区（1014）更重掺杂。 | ||
| 搜索关键词： | bicmos 工艺技术 中的 电压 可控 硅整流器 金属 氧化物 半导体 | ||
【主权项】：
一种集成电路，包含：具有第一导电类型的半导体衬底；以及可控硅整流器金属氧化物半导体晶体管，即SCRMOS晶体管，所述SCRMOS晶体管在所述半导体衬底上形成；所述SCRMOS晶体管包括：深阱，其在所述半导体衬底中形成，所述深阱具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型，并且所述深阱包括漂移区；降低表面场区，即RESURF区，其在所述深阱中形成，从而所述RESURF区横向毗连所述漂移区，所述RESURF区具有所述第二导电类型，其中所述RESURF区的掺杂浓度是所述漂移区的掺杂浓度的至少两倍；体区，其在所述深阱中形成，从而所述体区与所述RESURF区相反地横向毗连所述漂移区，所述体区具有所述第一导电类型；MOS栅极，其在所述半导体衬底上形成，以使所述MOS栅极与所述体区的一部分重叠；漏极结构，其在所述RESURF区中形成，所述漏极结构具有：漏极扩散区，其具有所述第二导电类型，以使所述漏极扩散区的掺杂浓度比所述RESURF区的所述掺杂浓度大至少三倍；以及可控硅整流器端子，即SCR端子，其具有所述第一导电类型；以及源极结构，其在所述体区中形成，所述源极结构具有：邻近所述MOS栅极的源极扩散区，其具有所述第二导电类型；以及体接触扩散区，其具有所述第一导电类型。
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