[发明专利]制造带有背侧接触的半导体电池的光伏模块的方法和光伏模块无效
| 申请号： | 201080066145.1 | 申请日： | 2010-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN102834924A | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | U.沙夫;A.库格勒;P.策雷尔;M.齐佩尔;P.施蒂勒;M.科扬库 | 申请（专利权）人： | 罗伯特·博世有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/05;H01L31/18;H01L21/268 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 丁永凡;卢江 |
| 地址： | 德国斯*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制造带有背侧接触的半导体电池（1）的光伏模块的方法，所述半导体电池（1）具有分别设置在接触侧（2）的接触区（3），该方法包括方法步骤：提供薄膜状的不导电衬底（4），其在第一衬底侧上带有至少一侧的并且至少逐部分地导电的衬底镀膜（5），把所述半导体电池的接触侧置于第二衬底侧上，实施穿过所述衬底和所述衬底镀膜的局部穿孔，以在所述半导体电池（1）的接触区（3）上产生所述衬底中的豁口（10），敷设接触媒介（11），用以填充所述豁口（10）并且用于形成在所述第一衬底侧上的衬底镀膜与所述第二衬底侧上的半导体电池之间的接触。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 带有 接触 半导体 电池 模块 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造带有背侧接触的半导体电池（1）的光伏模块的方法，所述半导体电池（1）具有分别设置在接触侧（2）的接触区（3），该方法包括以下方法步骤：‑提供薄膜状的不导电衬底（4），其在第一衬底侧上带有至少一侧的并且至少逐部分地导电的衬底镀膜（5），‑把所述半导体电池的接触侧置于第二衬底侧上，‑实施穿过所述衬底和所述衬底镀膜的局部穿孔，以在所述半导体电池（1）的接触区（3）上产生所述衬底中的豁口（10），‑敷设接触媒介（11），用以填充所述豁口（10）并且用于形成在所述第一衬底侧上的衬底镀膜与所述第二衬底侧上的半导体电池之间的接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
