[发明专利]光电转换元件及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201080067177.3 申请日: 2010-04-02
公开(公告)号: CN102918651A 公开(公告)日: 2013-02-06
发明(设计)人: 益永久美;藤本明;堤荣史;浅川钢儿;中西务;西泽秀之;北川良太 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: H01L31/04 分类号: H01L31/04
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 杨晓光;于静
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 公开了一种使用增强的电场增加载流子激发的高效光电转换元件。所公开的光电转换元件包括光电转换层,所述光电转换层由层叠在两个电极层之间的两个或更多个半导体层形成,并且所述光电转换元件具有在所述光电转换层中的电场增强层,所述电场增强层被夹在所述半导体层之间。所述电场增强层包括金属精细结构体,其中所述金属精细结构体是多孔薄膜或诸如微球体的微小体。
搜索关键词: 光电 转换 元件 及其 制造 方法
【主权项】:
一种光电转换元件,包括:光电转换层,其包括两个电极层和两个或更多个在所述两个电极层之间设置的层叠的半导体层,以及由金属制成的多孔膜,其被设置在相邻的两个所述半导体层之间;其中所述多孔膜具有多个贯穿所述膜的开口,每个所述开口占据平均为80nm2以上至0.8μm2以下的面积,且所述多孔膜具有2nm以上至200nm以下的厚度。
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