[发明专利]显示装置用薄膜半导体装置、显示装置用薄膜半导体装置的制造方法、EL显示面板及EL显示装置有效

专利信息
申请号: 201080067213.6 申请日: 2010-09-29
公开(公告)号: CN102934153A 公开(公告)日: 2013-02-13
发明(设计)人: 钟之江有宣 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: G09F9/30 分类号: G09F9/30;G02F1/1343;G02F1/1368;G09F9/00;H01L29/78;H05B33/14
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 段承恩;杨光军
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明的显示装置用薄膜半导体装置(2)包括:形成于基板上的第1栅电极(310G)、形成于第1栅电极上的栅极绝缘膜(330)、形成于第1栅电极的上方的第1半导体层(311)、形成于第1半导体层的上方的第1源电极(310S)、形成在与第1源电极同层的第2漏电极(320D)、形成为覆盖第1源电极及第2漏电极的第1层间绝缘膜(340)、配置在第1层间绝缘膜上的栅极布线(21)、与第2漏电极同层且与第2漏电极电连接的第1电源布线(23A)、和形成在与栅极布线同层的第2电源布线(23B)。而且,第1栅电极和栅极布线经由第1接触部(111)而电连接区)第1电源布线和第2电源布线经由第2接触部(112)而电连接。
搜索关键词: 显示装置 薄膜 半导体 装置 制造 方法 el 显示 面板
【主权项】:
一种显示装置用薄膜半导体装置,包括:基板;栅电极,形成于基板上;栅极绝缘膜,覆盖所述栅电极并形成于所述基板上;半导体层,形成在所述栅极绝缘膜上且在所述栅电极的上方;第1电极,形成于所述半导体层的上方;第2电极,形成于与所述第1电极同层;第1电源布线,与所述第2电极电连接,形成于与所述第2电极同层;层间绝缘膜,覆盖所述第1电极及所述第2电极并形成于所述栅极绝缘膜的上方;栅极布线,形成在作为与形成有所述栅电极的层不同的层的所述层间绝缘膜上,与所述第1电源布线交叉地配置;和第2电源布线,形成于与所述栅极布线同层,并且与所述栅极布线并行配置,所述栅电极和所述栅极布线经由设置成贯穿所述栅极绝缘膜及所述层间绝缘膜的第1导电部而电连接,所述第1电源布线和所述第2电源布线经由设置成贯穿所述层间绝缘膜的第2导电部而电连接。
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