[发明专利]半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201080067995.3 | 申请日： | 2010-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN102986011A | 公开（公告）日： | 2013-03-20 |
| 发明（设计）人： | 鲁鸿飞 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/02;H01L29/739;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 张鑫 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 制备镜面抛光的CZ晶片和FZ晶片（1）。在CZ晶片的第一主表面的表面层上形成作为第一隔离区部分（21）的第一杂质区。将CZ晶片的第一主表面和FZ晶片（1）的第一主表面粘合在一起。通过分子间结合来结合CZ晶片的第一主表面和FZ晶片（1）的第一主表面。在FZ晶片（1）的第二主表面的表面层上形成作为第二隔离区部分（22）的第二杂质区。通过热处理扩散第一杂质区和第二杂质区来形成硅贯通隔离区（20），从而使第一杂质区和第二杂质区变成一个连接区。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，包括：在第一导电类型的第一晶片的第一主表面的表面层中选择性地形成第二导电类型的第一半导体区的第一区域形成步骤；在所述第一区域形成步骤之后结合所述第一晶片的第一主表面和所述第一导电类型的第二晶片的第一主表面的结合步骤；在所述第二晶片的第二主表面的表面层中在与形成在所述第一晶片的第一主表面中的第一半导体区相对应的位置处选择性地形成所述第二导电类型的第二半导体区的第二区域形成步骤；以及扩散所述第一半导体区和所述第二半导体区以使所述第一半导体区和所述第二半导体区连续的扩散步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
