[发明专利]有机EL元件及其制造方法有效
申请号: | 201080068394.4 | 申请日: | 2010-08-06 |
公开(公告)号: | CN103053042A | 公开(公告)日: | 2013-04-17 |
发明(设计)人: | 原田健史;西山诚司;小松隆宏;竹内孝之;藤村慎也;大内晓;藤田浩史;冢本义朗 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;G09F9/30;H01L27/32;H05B33/10;H05B33/12;H05B33/22 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 周春燕;段承恩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供采用了可得到良好的空穴传导效率的空穴注入层的有机EL元件。具备配置于阳极(2)与阴极(8)之间且由包括使用有机材料形成的发光层(6B)的1层或多层构成的功能层(6)、配置于阳极(2)与功能层(6)之间的空穴注入层(4)和规定发光层(6B)的堤栏(5);空穴注入层(4)包含氧化钨;构成氧化钨的钨元素以6价的状态及比该6价低的化合价的状态包含于空穴注入层(4);且空穴注入层(4)包含粒径为纳米量级的大小的氧化钨的晶体;在由堤栏(5)规定的区域,功能层(6)侧的表面的一部分形成为比其他的部分位于靠阳极(2)侧的凹入构造;凹入构造的凹部的内面与功能层(6)接触。 | ||
搜索关键词: | 有机 el 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种有机EL元件,具备:阳极;阴极;功能层,其配置于所述阳极与所述阴极之间,由包括使用有机材料形成的发光层的1层或多层构成;空穴注入层,其配置于所述阳极与所述功能层之间;以及堤栏,其规定所述发光层;所述空穴注入层包含氧化钨;构成所述氧化钨的钨元素以6价的状态及比该6价低的化合价的状态包含于所述空穴注入层;并且所述空穴注入层包含粒径为纳米量级的大小的所述氧化钨的晶体;在由所述堤栏规定的区域,所述功能层侧的表面的一部分形成为比其他的部分位于靠所述阳极侧的凹入构造;所述凹入构造的凹部的内面与所述功能层接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于松下电器产业株式会社,未经松下电器产业株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201080068394.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择