[发明专利]多层存储阵列有效
| 申请号： | 201080068814.9 | 申请日： | 2010-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN103098211A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 贾尼斯·H·尼克尔;吉尔贝托·梅代罗斯·里贝罗;杨建华 | 申请（专利权）人： | 惠普发展公司;有限责任合伙企业 |
| 主分类号： | H01L27/10 | 分类号： | H01L27/10;H01L27/115;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 康泉;宋志强 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种多层交叉存储阵列包括多个层（514）。每个层（514）包括一组平行的顶部线，与一组平行的顶部线相交叉的一组平行的底部线，以及被布置在一组平行的顶部线和一组平行的底部线之间的交叉位置的存储元件（200、216）。来自层（514）之一的一组平行的顶部线是层（514）中相邻层的一组平行的底部线。 | ||
| 搜索关键词： | 多层 存储 阵列 | ||
【主权项】：
一种多层存储阵列（500），包括：多个层（514），每个层包括：一组平行的顶部线，与所述一组平行的顶部线相交叉的一组平行的底部线，以及存储元件（200、216），设置在所述一组平行的顶部线和所述一组平行的底部线组之间的交叉位置；其中，来自所述层（514）之一的一组平行的顶部线也是所述层（514）中相邻层的一组平行的底部线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
