[发明专利]具有与第一通路或中间通路结构连接的后触点的微电子元件有效
申请号: | 201080069192.1 | 申请日: | 2010-10-13 |
公开(公告)号: | CN103109349A | 公开(公告)日: | 2013-05-15 |
发明(设计)人: | 瓦格·奥甘赛安;贝勒卡西姆·哈巴;伊利亚斯·默罕默德;克雷格·米切尔;皮尤什·萨瓦利亚 | 申请(专利权)人: | 德塞拉股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00 |
代理公司: | 珠海智专专利商标代理有限公司 44262 | 代理人: | 段淑华;刘曾剑 |
地址: | 美国加利福尼亚州圣荷西市奥*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 微电子单元包括微电子元件,例如具有单晶形式的半导体区域的集成电路芯片。半导体区域具有以第一方向延伸的正面、邻近正面的有源电路元件、远离正面的背面、及向背面延伸的导电通路。导电通路可通过无机介电层与半导体区域绝缘。开口可从背面延伸,穿过半导体区域的部分厚度,沿第一方向,开口和导电通路具有各自的宽度。在开口与导电通路相交处,开口的宽度可比导电通路的宽度更大。后触点可与导电通路电连接,并在背面暴露,用于与如另一类似微电子单元、微电子封装或电路板等外部电路元件电连接。 | ||
搜索关键词: | 具有 第一 通路 中间 结构 连接 触点 微电子 元件 | ||
【主权项】:
微电子单元,包括:微电子元件,包括单晶形式的半导体区域,且具有沿第一方向延伸的正面、邻近所述正面的有源电路元件、远离所述正面的背面、朝所述背面延伸且通过无机介电层与所述半导体区域绝缘的导电通路、从所述背面穿过所述半导体区域的部分厚度的开口,沿所述第一方向所述开口和所述导电通路具有各自的宽度,在所述开口与所述导电通路相交处,所述开口的宽度比所述导电通路的宽度更大;及后触点,与所述导电通路电连接,且在所述背面暴露,用于与外部电路元件电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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