[发明专利]具有与第一通路或中间通路结构连接的后触点的微电子元件有效

专利信息
申请号: 201080069192.1 申请日: 2010-10-13
公开(公告)号: CN103109349A 公开(公告)日: 2013-05-15
发明(设计)人: 瓦格·奥甘赛安;贝勒卡西姆·哈巴;伊利亚斯·默罕默德;克雷格·米切尔;皮尤什·萨瓦利亚 申请(专利权)人: 德塞拉股份有限公司
主分类号: H01L21/00 分类号: H01L21/00
代理公司: 珠海智专专利商标代理有限公司 44262 代理人: 段淑华;刘曾剑
地址: 美国加利福尼亚州圣荷西市奥*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 微电子单元包括微电子元件,例如具有单晶形式的半导体区域的集成电路芯片。半导体区域具有以第一方向延伸的正面、邻近正面的有源电路元件、远离正面的背面、及向背面延伸的导电通路。导电通路可通过无机介电层与半导体区域绝缘。开口可从背面延伸,穿过半导体区域的部分厚度,沿第一方向,开口和导电通路具有各自的宽度。在开口与导电通路相交处,开口的宽度可比导电通路的宽度更大。后触点可与导电通路电连接,并在背面暴露,用于与如另一类似微电子单元、微电子封装或电路板等外部电路元件电连接。
搜索关键词: 具有 第一 通路 中间 结构 连接 触点 微电子 元件
【主权项】:
微电子单元,包括:微电子元件,包括单晶形式的半导体区域,且具有沿第一方向延伸的正面、邻近所述正面的有源电路元件、远离所述正面的背面、朝所述背面延伸且通过无机介电层与所述半导体区域绝缘的导电通路、从所述背面穿过所述半导体区域的部分厚度的开口,沿所述第一方向所述开口和所述导电通路具有各自的宽度,在所述开口与所述导电通路相交处,所述开口的宽度比所述导电通路的宽度更大;及后触点,与所述导电通路电连接,且在所述背面暴露,用于与外部电路元件电连接。
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