[发明专利]薄芯片在载体衬底上的低共熔压焊有效
| 申请号： | 201080070258.9 | 申请日： | 2010-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN103229290A | 公开（公告）日： | 2013-07-31 |
| 发明（设计）人： | A·普吕姆;K-H·克拉夫特;T·迈尔;A·霍伊查斯特;C·舍林 | 申请（专利权）人： | 罗伯特·博世有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 苏娟 |
| 地址： | 德国斯*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于制造半导体元器件(166)的方法。该方法包括下列步骤：a)在初始衬底(112)上制造半导体芯片(110)，其中所述半导体芯片在至少一个支撑点(116)上与所述初始衬底(112)连接，其中所述半导体芯片(110)具有背离所述初始衬底(112)的正面(130)和朝向所述初始衬底(112)的背面(132)，b)在至少一个贯穿接触步骤中，将至少一个贯穿接触部填充材料(142)施加到所述半导体芯片(110)上，其中所述背面(132)的至少一个部分区域(140)被涂以所述贯穿接触部填充材料(142)，c)将所述半导体芯片(110)与所述初始衬底(112)分离，以及d)将所述半导体芯片(110)施加到至少一个载体衬底(150)上，其中所述半导体芯片(110)的背面(132)的被涂以所述贯穿接触部填充材料(142)的部分区域(140)与所述载体衬底(150)上的至少一个焊盘(152)连接。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 载体 衬底 低共熔压焊 | ||
【主权项】：
一种用于制造半导体元器件(166)的方法，包括下列步骤：a)在初始衬底(112)上制造半导体芯片(110)，其中所述半导体芯片(110)在至少一个支撑点(116)上与所述初始衬底(112)连接，其中所述半导体芯片(110)具有背离所述初始衬底(112)的正面(130)和朝向所述初始衬底(112)的背面(132)，b)在至少一个贯穿接触步骤中，将至少一个贯穿接触部填充材料(142)施加到所述半导体芯片(110)上，其中所述背面(132)的至少一个部分区域(140)被涂以所述贯穿接触部填充材料(142)，c)将所述半导体芯片(110)与所述初始衬底(112)分离，以及d)将所述半导体芯片(110)施加到至少一个载体衬底(150)上，其中所述半导体芯片(110)的背面(132)的被涂以所述贯穿接触部填充材料(142)的部分区域(140)与所述载体衬底(150)上的至少一个焊盘(152)连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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