[发明专利]发光二极管封装件及其制造方法无效
申请号: | 201080070299.8 | 申请日: | 2010-12-03 |
公开(公告)号: | CN103222075A | 公开(公告)日: | 2013-07-24 |
发明(设计)人: | 徐源哲;尹余镇 | 申请(专利权)人: | 首尔OPTO仪器股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/52 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 刘灿强;韩芳 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 一种发光二极管(LED)封装件和一种制造该发光二极管(LED)封装件的方法。LED封装件包括基底。基底限定基底中的具有锥形形状的腔、形成在腔的上端上的阶梯部分和形成在腔的底部中的通孔。导电膜填充通孔并且形成在腔的侧表面和底部上。LED具有在LED上的荧光层,并且倒装芯片式地结合到导电膜上。包封剂包封腔。齐纳二极管或整流器设置在硅基底上,从而可以使热容易地消散,而不需额外的器件,由此使制造成本减少并使小型化成为可能。 | ||
搜索关键词: | 发光二极管 封装 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种发光二极管封装件,所述发光二极管封装件包括:基底,其中,基底限定基底中的具有锥形形状的腔、形成在腔的上端上的阶梯部分和形成在腔的底部中的通孔;导电膜,其中,导电膜填充通孔并且形成在腔的侧表面和底部上;发光二极管,具有在发光二极管上的荧光层,其中,发光二极管倒装芯片式地结合到导电膜上;包封剂,包封腔。
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