[发明专利]叠层有机发光二极管及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201110002142.8 申请日: 2011-01-06
公开(公告)号: CN102130302A 公开(公告)日: 2011-07-20
发明(设计)人: 马东阁;陈永华;田洪坤;耿延侯;闫东航;王利祥 申请(专利权)人: 中国科学院长春应用化学研究所
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56;C07D409/04;C07D409/14
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 魏晓波;逯长明
地址: 130000 吉*** 国省代码: 吉林;22
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摘要: 发明实施例公开了一种叠层有机发光二极管及其制备方法,本发明制备的叠层有机发光二极管以n型有机半导体和p型有机半导体形成的异质结为电荷产生层,所述p型有机半导体为噻吩类化合物,所述p型有机半导体的最高占据分子轨道能级小于6eV,所述p型有机半导体的最高占据分子轨道能级与所述n型有机半导体的最低未占据分子轨道能级之差小于1eV。与现有技术中的电荷产生层相比,本发明采用的电荷产生层能够产生大量的电荷,从而使制备的叠层有机发光二极管在亮度和电流效率增加的同时,工作电压得到减低,从而提高了叠层有机发光二极管功率效率。实验结果表明,本发明制备的绿光荧光叠层有机发光二极管的功率效率为22lm/W。
搜索关键词: 有机 发光二极管 及其 制备 方法
【主权项】:
一种叠层有机发光二极管,其特征在于,包括:阳极,阴极;至少两个置于所述阳极与阴极之间的发光层;置于相邻发光层之间的电荷产生层,所述电荷产生层为n型有机半导体和p型有机半导体形成的异质结,所述p型有机半导体为噻吩类化合物,所述p型有机半导体的最高占据分子轨道能级小于6eV,所述p型有机半导体的最高占据分子轨道能级与所述n型有机半导体的最低未占据分子轨道能级之差小于1eV。
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