[发明专利]一种多晶硅晶体生长炉热场结构无效
| 申请号： | 201110002707.2 | 申请日： | 2011-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN102021646A | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | 葛江文;张帆;管宇骎;张元成;徐寒;管文礼 | 申请（专利权）人： | 管文礼 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 南京众联专利代理有限公司 32206 | 代理人： | 刘喜莲 |
| 地址： | 222000 江苏省连云港*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明是一种多晶硅晶体生长炉热场结构，它包括由上保热屏、侧保温屏和保温底板构成的固定保温屏，在固定保温屏内设有长晶器、坩埚和加热器；其特点是：在保温底板的下部设有热门，在热门下部连接设有热交换器，热门上还连接设有热门开启装置。本发明通过热门开度大小的调节来控制热场的温度变化形成单向垂直的温度梯度，进行定向生长柱状晶体，有效的减少硅熔体四周冷热量的能量交换，降低了热能损耗，同时有利于晶体单向生长，从而提高晶体的生长质量，缩短晶体生长周期。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 晶体生长 炉热场 结构 | ||
【主权项】：
一种多晶硅晶体生长炉热场结构，它包括由上保热屏、侧保温屏和保温底板构成的固定保温屏，在固定保温屏内设有长晶器、坩埚和加热器；其特征在于：在保温底板的下部设有热门，在热门下部连接设有热交换器，热门上还连接设有热门开启装置。
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