[发明专利]半导体工艺中的清洗方法无效
| 申请号： | 201110003452.1 | 申请日： | 2011-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN102592965A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 蔡宗洵 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B08B3/00;B08B3/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体工艺中的清洗方法，此清洗方法包括下述步骤：首先提供半导体基板。提供水雾持续第一期间以对半导体基板进行清洗。同时于第一期间的起始点或起始点之前，在基板上形成水膜，并维持此水膜，时间长度持续约第二期间，并且使第二期间与第一期间至少部分重叠，用来缓冲水雾所带来的影响。通过同步地提供水雾与水膜来提升半导体基板表面静电移除效果，避免对半导体晶片上电路图案的损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 工艺 中的 清洗 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体工艺中的清洗方法，包括：提供半导体基板；提供水雾持续第一期间，以对该半导体基板进行清洗；以及于该第一期间的起始点或之前，在该基板上形成水膜，并维持该水膜达第二期间，用来缓冲该水雾，其中该第二期间与该第一期间至少部分重叠。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
