[发明专利]一种射频横向扩散N型MOS管及其制造方法

摘要

本发明公开了一种射频横向扩散N型MOS管及其制造方法，在N型漂移区上设有阶梯浅沟槽隔离氧化层，阶梯浅沟槽隔离氧化层包括位于N型漂移区之上的第二浅沟槽隔离氧化层和位于第二浅沟槽隔离氧化层之上的第一浅沟槽隔离氧化层；在阶梯浅沟槽隔离氧化层的表面包覆有第二场氧化层，在第一场氧化层的表面包覆有金属场极板，金属场极板将第一场氧化层和第二场氧化层分隔。本发明提供了一种结构简单且与现有射频横向双扩散金属氧化物半导体工艺相兼容的漂移区具有阶梯浅沟槽隔离结构的射频横向扩散N型金属氧化物半导体管及其制造方法，在相同的结构尺寸下，提升半导体管的击穿电压，而导通电阻保持不变。

主权项

一种射频横向扩散N型MOS管，在P型衬底（10）上设有P型外延层（11），在P型外延层（11）上设有N型漂移区（14），在P型外延层（11）上且位于N型漂移区（14）的相邻两端分别设置N型漏（15）和P型沟道（13），在P型沟道（13）的表面包覆有栅氧层（171），在栅氧层（171）的表面包覆有多晶硅栅（17），在所述多晶硅栅（17）的表面包覆有第一场氧化层（172），其特征在于：在所述N型漂移区（14）上设有阶梯浅沟槽隔离氧化层，所述阶梯浅沟槽隔离氧化层包括位于N型漂移区（14）之上的第二浅沟槽隔离氧化层（142）和位于第二浅沟槽隔离氧化层（142）之上的第一浅沟槽隔离氧化层（141）；在所述阶梯浅沟槽隔离氧化层的表面包覆有第二场氧化层（173），在所述第一场氧化层（172）的表面包覆有金属场极板（18），所述金属场极板（18）将第一场氧化层（172）和第二场氧化层（173）分隔。