[发明专利]化学机械研磨方法和半导体晶片清洗方法无效
| 申请号： | 201110004658.6 | 申请日： | 2011-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN102593042A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 李健;朱旋;许宗能;曾明;杨兆宇 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/02;H01L21/321;B24B37/04;B08B3/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮;李辰 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种化学机械研磨方法和半导体晶片清洗方法，所述化学机械研磨方法用于在介质层的通孔中淀积金属层后，研磨去除多余的金属，形成金属插塞，包括：研磨淀积金属层后的半导体晶片表面；向半导体晶片表面喷水，控制喷水参数以实现减小介质层对金属插塞形成的侧应力；清洗半导体晶片表面。所述半导体晶片清洗方法，用于在介质层中形成金属插塞之后，清洗半导体晶片，包括：向半导体晶片表面喷水，控制喷水参数以实现减小介质层对金属插塞形成的侧应力。本实施例提供的技术方案可以减小介质层对金属插塞的侧应力，进而能够避免金属导线局部的断开，避免形成断路，能够提高半导体器件的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 机械 研磨 方法 半导体 晶片 清洗 | ||
【主权项】：
一种化学机械研磨方法，用于在介质层的通孔中淀积金属层后，研磨去除多余的金属，形成金属插塞，其特征在于，包括：研磨淀积金属层后的半导体晶片表面；向半导体晶片表面喷水，控制喷水参数以实现减小介质层对金属插塞形成的侧应力；清洗半导体晶片表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
